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Rochester Electronics IDW30G65C5FKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
N.º de pieza del fabricante :IDW30G65C5FKSA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :IDW30G65C5FKSA1-DS
Ficha de datos :
IDW30G65C5FKSA1 Ficha de datos
IDW30G65C5FKSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 7.7670 | $ 7.77 |
| 25+ | $ 7.6140 | $ 190.35 |
| 100+ | $ 7.2990 | $ 729.9 |
| 500+ | $ 6.9930 | $ 3496.5 |
| 1000+ | $ 6.6060 | $ 6606 |
En stock: 14842
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 7.767
Total :$ 7.77
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IDW30G65C5FKSA1 información
Rochester Electronics IDW30G65C5FKSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO247-3-1
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):30A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 30 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1.1 mA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:860pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IDW30G65C5FKSA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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