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  • Rochester Electronics NDD02N60Z-1G

    MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :NDD02N60Z-1G
  • Fabricante :Rochester Electronics
  • Dasenic Número de pieza :NDD02N60Z-1G-DS
  • Ficha de datos :pdf download NDD02N60Z-1G Ficha de datos
  • Descripción : MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 0.2151Total : $ 0.22
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 8683
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 0.2151$ 0.22
25 +$ 0.2052$ 5.13
75 +$ 0.1944$ 14.58
750 +$ 0.1836$ 137.70
1500 +$ 0.1620$ 243.00

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Rochester Electronics NDD02N60Z-1G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:I-PAK
消費電力(最大):57W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 50µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10.1 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:274 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±30V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Rochester Electronics NDD02N60Z-1G
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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