Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $10.6830
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
SemiQ GP2T080A120U
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
- N.º de pieza del fabricante :GP2T080A120U
- Fabricante :SemiQ
- Dasenic Número de pieza :GP2T080A120U-DS
- Ficha de datos :
GP2T080A120U Ficha de datos - Descripción : SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 10.683Total : $ 10.68
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
- Entrega :
- Pago :
En stock: 3087
( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 10.6830 | $ 10.68 |
| 10 + | $ 8.1180 | $ 81.18 |
| 30 + | $ 6.5250 | $ 195.75 |
| 270 + | $ 6.2910 | $ 1698.57 |
Solicitar presupuesto
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
SemiQ GP2T080A120U especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:188W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 10mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:58 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1377 pF @ 1000 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
Vgs (最大):+25V, -10V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GP2T080A120U
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
SemiQ Recomendaciones de productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
GP2T080A120U mesmo tipo de produtos
Calificaciones y reseñas
Calificaciones
Por favor, Califica el producto!
Envía tus comentarios después de iniciar sesión en tu cuenta.
