Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $24.5200
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
SemiQ GP3D030A120B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
N.º de pieza del fabricante :GP3D030A120B
Fabricante :SemiQ
Dasenic Número de pieza :GP3D030A120B-DS
Ficha de datos :
GP3D030A120B Ficha de datos
GP3D030A120B Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 24.5200 | $ 24.52 |
| 60+ | $ 21.3600 | $ 1281.6 |
| 120+ | $ 20.1400 | $ 2416.8 |
| 270+ | $ 19.3800 | $ 5232.6 |
| 510+ | $ 18.7800 | $ 9577.8 |
En stock: 1512
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 24.52
Total :$ 24.52
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
GP3D030A120B información
SemiQ GP3D030A120B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):30A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 30 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:60 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:1762pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GP3D030A120B fornecido por SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
SemiQ Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
