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STMicroelectronics L6385ED013TR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
N.º de pieza del fabricante :L6385ED013TR
Fabricante :STMicroelectronics
Dasenic Número de pieza :L6385ED013TR-DS
Ficha de datos :
L6385ED013TR Ficha de datos
L6385ED013TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.1790 | $ 1.18 |
| 10+ | $ 0.7722 | $ 7.72 |
| 100+ | $ 0.6417 | $ 64.17 |
| 500+ | $ 0.6165 | $ 308.25 |
| 1000+ | $ 0.5958 | $ 595.8 |
En stock: 33019
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.179
Total :$ 1.18
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L6385ED013TR información
STMicroelectronics L6385ED013TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:17V (Max)
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:1.5V, 3.6V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:400mA, 650mA
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
- 上昇/下降時間（標準）:50ns, 30ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
L6385ED013TR fornecido por STMicroelectronics
1987年に設立されたSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）は、日常生活の中心となる電子機器を動かすインテリジェントでエネルギー効率に優れた製品とソリューションを提供する世界的半導体リーダーです。STは、マイクロコントローラ、デジタルおよびアナログ集積回路、電源管理デバイス、MEMSセンサ、イメージングおよびオーディオソリューション、ワイヤレス接続ソリューションなど、幅広い半導体製品とソリューションの大手サプライヤーです。当社の技術は、よりスマートなモビリティ、より効率的な電力およびエネルギー管理、モノのインターネットおよび5G技術の広範な展開を可能にします。当社は、10万社のお客様と数千社のパートナーと協力して、お客様の課題と機会、そしてより持続可能な世界をサポートするニーズに対応する製品、ソリューション、エコシステムを設計および構築しています。STは、スイスのジュネーブに本社を置き、35か国以上で事業を展開する多国籍企業です。
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