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Tagore Technology TP44110HB
GAN FET 1/2 BRIDGE .09OHM 30QFN
- N.º de pieza del fabricante :TP44110HB
- Fabricante :Tagore Technology
- Dasenic Número de pieza :TP44110HB-DS
- Ficha de datos :
TP44110HB Ficha de datos
- Descripción : GAN FET 1/2 BRIDGE .09OHM 30QFN
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 13.76Total : $ 13.76
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Tagore Technology TP44110HB especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers
Estado del producto:Active
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:30-PowerWFQFN
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete de dispositivo del proveedor:30-QFN (8x10)
Configuración:2 N-Channel (Half Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650V
Número de producto base:TP44110
Embalaje:Tray
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Tagore Technology TP44110HB
Tagore Technology se fundó en enero de 2011 para ser pionera en la tecnología de semiconductores de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) para aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y gestión de energía. Nuestras tecnologías y dispositivos patentados avanzados reducen significativamente la complejidad, el tamaño, el peso y el consumo de energía de las soluciones de sistemas a un precio competitivo, lo que ofrece una conversión de energía considerablemente mejorada en comparación con las soluciones de silicio. Somos una empresa de semiconductores sin fábrica con centros de diseño en Arlington Heights, Illinois, EE. UU. y Calcuta, India. Nuestro equipo de I+D se dedica a desarrollar soluciones disruptivas que aprovechan las tecnologías de banda ancha que ayudan a abordar los desafíos de diseño de RF y energía para nuestros clientes y aceleran el tiempo de comercialización para una amplia gama de aplicaciones, desde infraestructura celular 5G hasta consumo, automoción y defensa y seguridad. Nos asociamos con fundiciones de semiconductores y casas de ensamblaje líderes para ofrecer productos que ofrecen calidad superior y alta confiabilidad comprobada.
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