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Texas Instruments DRA829VMTGBALFRQ1
DUAL ARM CORTEX-A72, QUAD CORTEX
N.º de pieza del fabricante :DRA829VMTGBALFRQ1
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :DRA829VMTGBALFRQ1-DS
Ficha de datos :
DRA829VMTGBALFRQ1 Ficha de datos
DRA829VMTGBALFRQ1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DUAL ARM CORTEX-A72, QUAD CORTEX
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 195.9000 | $ 195.9 |
| 10+ | $ 185.8200 | $ 1858.2 |
| 25+ | $ 180.7800 | $ 4519.5 |
| 50+ | $ 174.4400 | $ 8722 |
| 100+ | $ 172.3800 | $ 17238 |
En stock: 1507
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 195.9
Total :$ 195.90
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DRA829VMTGBALFRQ1 información
Texas Instruments DRA829VMTGBALFRQ1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Embedded - System On Chip (SoC)
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- パッケージ/ケース:827-BFBGA, FCBGA
- サプライヤーデバイスパッケージ:827-FCBGA (24x24)
- 周辺機器:DMA, PWM, WDT
- 建築:DSP, MCU, MPU
- スピード:2GHz, 1GHz, 1.35GHz, 1GHz
- コアプロセッサ:ARM® Cortex®-A72, ARM® Cortex®-R5F, C66x, C7x
- フラッシュサイズ:-
- R A Mサイズ:1.5MB
- 接続性:I²C, I³C, MCAN, MMC/SD/SDIO, SPI, UART, USB
- 主な属性:-
- EU RoHS ステータス:Vendor omitted MSL Rating information
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:5A992C
- HTS 米国:8542.31.0001
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DRA829VMTGBALFRQ1 fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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