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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615R,LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
N.º de pieza del fabricante :SSM3K2615R,LF
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :SSM3K2615R,LF-DS
Ficha de datos :
SSM3K2615R,LF Ficha de datos
SSM3K2615R,LF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.2398 | $ 2.4 |
| 3000+ | $ 0.1332 | $ 399.6 |
| 6000+ | $ 0.1231 | $ 738.6 |
| 9000+ | $ 0.1091 | $ 981.9 |
| 24000+ | $ 0.1076 | $ 2582.4 |
En stock: 22052
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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SSM3K2615R,LF información
Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615R,LF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-23-3 Flat Leads
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23F
- 消費電力（最大）:1W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:300mOhm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:150 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:3.3V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SSM3K2615R,LF fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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