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UnitedSiC UF3SC065040D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
- N.º de pieza del fabricante :UF3SC065040D8S
- Fabricante :UnitedSiC
- Dasenic Número de pieza :UF3SC065040D8S-DS
- Ficha de datos :
UF3SC065040D8S Ficha de datos - Descripción : SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
- Paquete :-
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UnitedSiC UF3SC065040D8S especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:4-PowerTSFN
Tecnología:SiCFET (Cascode SiCJFET)
Paquete de dispositivo del proveedor:4-DFN (8x8)
Disipación de potencia (máxima):125W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:18A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:58mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:6V @ 10mA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:43 nC @ 12 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1500 pF @ 100 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):12V
Vgs (máximo):±25V
Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
UnitedSiC UF3SC065040D8S
En 1999, un pequeño equipo de investigadores de la Universidad Rutgers fundó UnitedSiC. En 2010, UnitedSiC construyó una sala limpia de producción piloto cerca de Princeton, Nueva Jersey, para mejorar los procesos de SiC hasta el punto en que pudieran instalarse directamente en una fundición comercial. En ese momento, UnitedSiC se convirtió en una empresa sin fábrica, centrando sus recursos en el diseño de productos, la I+D y la atención al cliente. El 3 de noviembre de 2021, Qorvo anunció la adquisición de UnitedSiC, que pasó a formar parte del negocio de productos de infraestructura y defensa (IDP) de Qorvo. La tecnología de UnitedSiC, junto con los productos complementarios de gestión de energía programable de Qorvo y las capacidades de la cadena de suministro de clase mundial, permitirán a UnitedSiC ofrecer niveles superiores de eficiencia energética en las aplicaciones más avanzadas. Clientes de todo el mundo utilizan ahora los dispositivos de diodos Schottky, JFET y FET de UnitedSiC en nuevos cargadores de vehículos eléctricos (VE), fuentes de alimentación CA-CC y CC-CC, disyuntores de estado sólido, variadores de velocidad de motores e inversores solares fotovoltaicos.
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