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Wolfspeed CG2H80120D-GP4
120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2
N.º de pieza del fabricante :CG2H80120D-GP4
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :CG2H80120D-GP4-DS
Ficha de datos :
CG2H80120D-GP4 Ficha de datos
CG2H80120D-GP4 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 214.9470 | $ 214.95 |
| 10+ | $ 185.3892 | $ 1853.89 |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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CG2H80120D-GP4 información
Wolfspeed CG2H80120D-GP4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Estado del producto:Active
- Voltaje - Nominal:84 V
- Paquete / Caja:Die
- Frecuencia:8GHz
- Corriente nominal (amperios):28A
- Paquete de dispositivo del proveedor:Die
- Potencia - Salida:120W
- Tipo de transistor:HEMT
- Ganar:12dB
- Voltaje - Prueba:28 V
- Figura de ruido:-
- Actual - Prueba:-
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0040
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CG2H80120D-GP4 fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed es una empresa de semiconductores líder centrada en las tecnologías de carburo de silicio y GaN. Lideramos la transformación del silicio al carburo de silicio (SiC) y GaN a medida que damos forma al futuro de los mercados de semiconductores: la transición a vehículos eléctricos, el paso a redes 5G más rápidas, la evolución de la energía renovable y el almacenamiento de energía, y el avance de las aplicaciones industriales. Después de más de 35 años de forjar la adopción y transformación de nuevas tecnologías, nuestros semiconductores de potencia y radiofrecuencia (RF) Wolfspeed® lideran la industria gracias a una experiencia y una capacidad inigualables.
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