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Goford Semiconductor G10N10A

Name: G10N10A
Brand: Goford Semiconductor
SKU: DS-6188423
Price: 0.3116 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22

N.º de pieza del fabricante :G10N10A

Fabricante :Goford Semiconductor

Dasenic Número de pieza :G10N10A-DS

Ficha de datos :

G10N10A Ficha de datos

Referencia de cliente :

Referencia de cliente

Descripción : N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22

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Cantidad	Precio unitario	Total
10+	$ 0.3116	$ 3.12
2500+	$ 0.1731	$ 432.75
5000+	$ 0.1601	$ 800.5
7500+	$ 0.1731	$ 1298.25
12500+	$ 0.1463	$ 1828.75

En stock: 12822

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G10N10A información

Goford Semiconductor G10N10A especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
消費電力（最大）:3.1W (Ta)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:1.6V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:90 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2600 pF @ 50 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Goford Semiconductor G10N10A
Datasheet:
G10N10A,

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En el caso de las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en un plazo de entre 1 y 3 días. Dasenic envía los pedidos una vez al día aproximadamente a las 6:00 p. m., excepto los domingos. Una vez enviados, el tiempo de entrega estimado depende de los transportistas que elijas a continuación.
DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

G10N10A fornecido por Goford Semiconductor

1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。