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Alliance Memory AS4C512M8D3LB-12BIN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
N.º de pieza del fabricante :AS4C512M8D3LB-12BIN
Fabricante :Alliance Memory
Dasenic Número de pieza :AS4C512M8D3LB-12BIN-DS
Ficha de datos :
AS4C512M8D3LB-12BIN Ficha de datos
AS4C512M8D3LB-12BIN Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 26.8000 | $ 26.8 |
| 5000+ | $ 26.0000 | $ 130000 |
En stock: 1174
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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AS4C512M8D3LB-12BIN información
Alliance Memory AS4C512M8D3LB-12BIN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:78-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR3L
- サプライヤーデバイスパッケージ:78-FBGA (9x10.5)
- メモリサイズ:4Gb (512M x 8)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.283V ~ 1.45V
- クロック周波数:800 MHz
- アクセス時間:20 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0036
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
AS4C512M8D3LB-12BIN fornecido por Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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