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Goford Semiconductor G2012
N.º de pieza del fabricante :G2012
Fabricante :Goford Semiconductor
Dasenic Número de pieza :G2012-DS
Ficha de datos : G2012 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 14532
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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G2012 información
Goford Semiconductor G2012 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-WDFN Exposed Pad
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:6-DFN (2x2)
- 消費電力(最大):1.5W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:12A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 5A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:29 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1255 pF @ 10 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):2.5V, 4.5V
- Vgs (最大):±10V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G2012 fornecido por Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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