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Goford Semiconductor G2012

N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :G2012
Dasenic Número de pieza :G2012-DS
Ficha de datos :pdf download G2012 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 0.1440$ 0.14
10+$ 0.1179$ 1.18
100+$ 0.0909$ 9.09
500+$ 0.0774$ 38.7
1000+$ 0.0657$ 65.7
En stock: 14532
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.144
Total :$ 0.14
Entrega :
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Pago :
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G2012 información

  • Goford Semiconductor G2012 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:6-WDFN Exposed Pad
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:6-DFN (2x2)
  • 消費電力(最大):1.5W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:12A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:29 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1255 pF @ 10 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):2.5V, 4.5V
  • Vgs (最大):±10V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G2012 fornecido por Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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