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Goford Semiconductor G30N04D3

Name: G30N04D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G30N04D3-DS
Price: 0.2462 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 15000

MOQ: 1

4 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :G30N04D3
Fabricante :Goford Semiconductor
Dasenic # :G30N04D3-DS
Ficha de datos : G30N04D3 Ficha de datos PDF
Descripción : MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Paquete :-
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Goford Semiconductor G30N04D3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje:Surface Mount

Paquete / Caja:8-PowerVDFN

Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)

Paquete de dispositivo del proveedor:8-DFN (3.15x3.05)

Disipación de potencia (máxima):19.8W (Tc)

Tipo F E T:N-Channel

Función F E T:Standard

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):40 V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:30A (Tc)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:9.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 250µA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:30 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1780 pF @ 20 V

Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):4.5V, 10V

Vgs (máximo):±20V

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Estado de ALCANCE:REACH Unaffected

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.29.0095

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G30N04D3 proporcionado por Goford Semiconductor

Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.