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Goford Semiconductor GC11N65K

Name: GC11N65K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: DS-6146675
Price: 1.0498 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

N.º de pieza del fabricante :GC11N65K

Fabricante :Goford Semiconductor

Dasenic Número de pieza :GC11N65K-DS

Ficha de datos :

GC11N65K Ficha de datos

Referencia de cliente :

Referencia de cliente

Descripción : N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

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Cantidad	Precio unitario	Total
10+	$ 1.0498	$ 10.5
2500+	$ 0.5832	$ 1458
15000+	$ 0.5382	$ 8073
30000+	$ 0.4851	$ 14553

En stock: 27916

MOQ :1 PCS

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GC11N65K información

Goford Semiconductor GC11N65K especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-252
Disipación de potencia (máxima):78W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:11A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:21 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:901 pF @ 50 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±30V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Goford Semiconductor GC11N65K
Datasheet:
GC11N65K,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

GC11N65K fornecido por Goford Semiconductor

Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.