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Goford Semiconductor GC20N65F

Name: GC20N65F
Brand: Goford Semiconductor
SKU: DS-6152368
Price: 1.8576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

N.º de pieza del fabricante :GC20N65F

Fabricante :Goford Semiconductor

Dasenic Número de pieza :GC20N65F-DS

Ficha de datos :

GC20N65F Ficha de datos

Referencia de cliente :

Referencia de cliente

Descripción : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

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Cantidad	Precio unitario	Total
10+	$ 1.8576	$ 18.58
2000+	$ 1.2384	$ 2476.8
6000+	$ 1.1808	$ 7084.8
16000+	$ 1.1430	$ 18288
30000+	$ 1.0287	$ 30861

En stock: 31100

MOQ :1 PCS

Paquete :-

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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong

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Precio unitario :$ 1.8576

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GC20N65F información

Goford Semiconductor GC20N65F especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
消費電力（最大）:34W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1724 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Goford Semiconductor GC20N65F
Datasheet:
GC20N65F,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

GC20N65F fornecido por Goford Semiconductor

1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。