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Goford Semiconductor GT100N12M

Name: GT100N12M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: GT100N12M-DS
Price: 0.6566 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 4800

MOQ: 1

4 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :GT100N12M
Fabricante :Goford Semiconductor
Dasenic # :GT100N12M-DS
Ficha de datos : GT100N12M Ficha de datos PDF
Descripción : N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Paquete :-
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Goford Semiconductor GT100N12M especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje:Surface Mount

Paquete / Caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)

Paquete de dispositivo del proveedor:TO-263

Disipación de potencia (máxima):120W (Tc)

Tipo F E T:N-Channel

Función F E T:-

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):120 V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:70A (Tc)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:10mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:3.5V @ 250µA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:50 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:3050 pF @ 60 V

Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V

Vgs (máximo):±20V

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Estado de ALCANCE:REACH Unaffected

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.29.0095

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

GT100N12M proporcionado por Goford Semiconductor

Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.