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Goford Semiconductor GT110N06S

Name: GT110N06S
Brand: Goford Semiconductor
SKU: DS-6147850
Price: 0.657 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1

N.º de pieza del fabricante :GT110N06S

Fabricante :Goford Semiconductor

Dasenic Número de pieza :GT110N06S-DS

Ficha de datos :

GT110N06S Ficha de datos

Referencia de cliente :

Referencia de cliente

Descripción : N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1

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1+	$ 0.6570	$ 0.66
10+	$ 0.5670	$ 5.67
100+	$ 0.3927	$ 39.27
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GT110N06S información

Goford Semiconductor GT110N06S especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
消費電力（最大）:3.1W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:14A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1300 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Goford Semiconductor GT110N06S
Datasheet:
GT110N06S,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

GT110N06S fornecido por Goford Semiconductor

1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。