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ISSI® IS25LP512MG-RMLE-TY
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
N.º de pieza del fabricante :IS25LP512MG-RMLE-TY
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS25LP512MG-RMLE-TY-DS
Ficha de datos :
IS25LP512MG-RMLE-TY Ficha de datos
IS25LP512MG-RMLE-TY Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.5550 | $ 3.56 |
| 10+ | $ 3.5550 | $ 35.55 |
| 25+ | $ 3.5550 | $ 88.88 |
| 50+ | $ 3.5550 | $ 177.75 |
| 100+ | $ 3.5550 | $ 355.5 |
En stock: 1676
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 3.555
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IS25LP512MG-RMLE-TY información
ISSI® IS25LP512MG-RMLE-TY especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 105°C (TA)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Tecnología:FLASH - NOR
- Paquete de dispositivo del proveedor:16-SOIC
- Tamaño de la memoria:512Mbit
- Tipo de memoria:Non-Volatile
- Voltaje - Suministro:2.3V ~ 3.6V
- Frecuencia de reloj:166 MHz
- Tiempo de acceso:5.5 ns
- Formato de memoria:Flash
- Interfaz de memoria:SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- Tiempo de ciclo de escritura - Word, Page:50µs, 1ms
- Número de producto base:IS25LP512
- Organización de la memoria:64M x 8
- Embalaje:Tray
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:3A991B1A
- HTS EE. UU.:8542.32.0071
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS25LP512MG-RMLE-TY fornecido por ISSI®
Fundada en 1988, Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) es una empresa de semiconductores que se especializa en el diseño, desarrollo y fabricación de una amplia gama de circuitos integrados (CI) y productos de memoria. Diseñamos, desarrollamos y comercializamos circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: automoción, industria y medicina, comunicaciones/empresas y consumo digital. Nuestros productos principales son SRAM de alta velocidad y bajo consumo y DRAM de baja y media densidad, NOR/NAND Flash y productos eMMC. ISSI también ofrece soluciones personalizadas y específicas para cada aplicación para satisfacer los requisitos exclusivos de nuestros clientes. La sede regional de ISSI se encuentra en California, con oficinas en todo el mundo en China continental, Europa, Hong Kong, India, Israel, Japón, Corea, Singapur, Taiwán y los EE. UU.
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