Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $14.6987
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
ISSI® IS43LD16160B-25BLI-TR
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16,
N.º de pieza del fabricante :IS43LD16160B-25BLI-TR
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43LD16160B-25BLI-TR-DS
Ficha de datos :
IS43LD16160B-25BLI-TR Ficha de datos
IS43LD16160B-25BLI-TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16,
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 14.6987 | $ 146.99 |
| 2000+ | $ 9.7991 | $ 19598.2 |
En stock: 690
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 14.6987
Total :$ 14.70
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
IS43LD16160B-25BLI-TR información
ISSI® IS43LD16160B-25BLI-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:134-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
- サプライヤーデバイスパッケージ:134-TFBGA (10x11.5)
- メモリサイズ:256Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:400 MHz
- アクセス時間:5.5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:HSUL_12
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:16M x 16
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LD16160B-25BLI-TR fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
