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ISSI® IS43LR16128B-6BLI

2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IS43LR16128B-6BLI
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43LR16128B-6BLI-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 23.1414$ 231.41
300+$ 19.2845$ 5785.35
En stock: 669
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 23.1414
Total :$ 23.14
Entrega :
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Pago :
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IS43LR16128B-6BLI información

  • ISSI® IS43LR16128B-6BLI especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:60-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR
  • サプライヤーデバイスパッケージ:60-TFBGA (8x10)
  • メモリサイズ:2Gbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
  • クロック周波数:166 MHz
  • アクセス時間:5 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
  • 記憶の組織化:128M x 16
  • パッケージ:Bulk
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LR16128B-6BLI fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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