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ISSI® IS43TR16512B-107MBLI
8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/
- N.º de pieza del fabricante :IS43TR16512B-107MBLI
- Fabricante :ISSI®
- Dasenic Número de pieza :IS43TR16512B-107MBLI-DS
- Ficha de datos :
IS43TR16512B-107MBLI Ficha de datos - Descripción : 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/
- Paquete :-
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 20.8080 | $ 20.81 |
| 10 + | $ 19.3860 | $ 193.86 |
| 25 + | $ 19.1790 | $ 479.48 |
| 100 + | $ 16.9110 | $ 1691.10 |
| 272 + | $ 16.1730 | $ 4399.06 |
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ISSI® IS43TR16512B-107MBLI especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:96-TFBGA
テクノロジー:SDRAM - DDR3
サプライヤーデバイスパッケージ:96-TWBGA (10x14)
メモリサイズ:8Gbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:1.425V ~ 1.575V
クロック周波数:933 MHz
アクセス時間:20 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
記憶の組織化:512M x 16
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS43TR16512B-107MBLI
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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