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ISSI® IS61WV25616FBLL-10BLI
4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
N.º de pieza del fabricante :IS61WV25616FBLL-10BLI
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS61WV25616FBLL-10BLI-DS
Ficha de datos :
IS61WV25616FBLL-10BLI Ficha de datos
IS61WV25616FBLL-10BLI Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.4740 | $ 3.47 |
| 10+ | $ 3.1590 | $ 31.59 |
| 100+ | $ 2.7540 | $ 275.4 |
| 250+ | $ 2.5110 | $ 627.75 |
| 480+ | $ 2.5020 | $ 1200.96 |
En stock: 1700
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.474
Total :$ 3.47
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IS61WV25616FBLL-10BLI información
ISSI® IS61WV25616FBLL-10BLI especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:48-TFBGA
- テクノロジー:SRAM - Asynchronous
- サプライヤーデバイスパッケージ:48-TFBGA (6x8)
- メモリサイズ:4Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:2.4V ~ 3.6V
- アクセス時間:10 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:10ns
- 記憶の組織化:256K x 16
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:3A991B2A
- HTS 米国:8542.32.0041
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61WV25616FBLL-10BLI fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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