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Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
N.º de pieza del fabricante :MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
Fabricante :Micron Technology Inc.
Dasenic Número de pieza :MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR-DS
Ficha de datos :
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Ficha de datos
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR información
Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- テクノロジー:FLASH - NAND
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- メモリサイズ:2Tb (256G x 8)
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:2.5V ~ 3.6V
- クロック周波数:333 MHz
- アクセス時間:-
- メモリフォーマット:Flash
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:3A991B1A
- HTS 米国:8542.32.0071
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR fornecido por Micron Technology Inc.
1978年に設立されたMicron Technology, Inc.（Nasdaq: MU）は、世界における情報の利用方法を変革する革新的なメモリおよびストレージソリューションの業界リーダーです。Micronは、Micron®およびCrucial®ブランドを通じて、高性能DRAM、NAND、NORメモリおよびストレージ製品の豊富なポートフォリオを提供しています。AI、クラウド、インテリジェントエッジ、さまざまなデバイスにおいて、Micronの製品とソリューションは、病気のパターンを識別してカスタム治療を提供する精密医療から、スマート車両でほぼリアルタイムに提供されるデータ豊富なサービスまで、データ主導のイノベーションを可能にします。40年以上にわたり、当社は世界で最も重要な技術進歩に貢献し、自動車、モバイル、データセンター、クライアントを含む幅広いアプリケーションに最適なメモリおよびストレージシステムを提供してきました。米国アイダホ州に本社を置き、17か国に4万人を超えるチームメンバーを擁する当社は、データを洞察に変換することで世界が恩恵を受けられるよう、常に新しい方法を模索しています。
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