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Goford Semiconductor 2302

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Goford Semiconductor 2302 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-23-3
Disipación de potencia (máxima):1W (Ta)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:Standard
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):20 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:4.3A (Ta)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:1.1V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:10 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:300 pF @ 10 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):2.5V, 4.5V
Vgs (máximo):±10V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2302 proporcionado por Goford Semiconductor
Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.

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Calificaciones y reseñas
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

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Mike R.

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