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Renesas Electronics ISL6614AIRZ
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
N.º de pieza del fabricante :ISL6614AIRZ
Fabricante :Renesas Electronics
Dasenic Número de pieza :ISL6614AIRZ-DS
Ficha de datos :
ISL6614AIRZ Ficha de datos
ISL6614AIRZ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.1680 | $ 3.17 |
| 25+ | $ 3.1050 | $ 77.63 |
| 100+ | $ 2.9790 | $ 297.9 |
| 500+ | $ 2.8530 | $ 1426.5 |
| 1000+ | $ 2.6910 | $ 2691 |
En stock: 5424
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.168
Total :$ 3.17
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ISL6614AIRZ información
Renesas Electronics ISL6614AIRZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:16-VQFN Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:16-QFN (4x4)
- 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Synchronous
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:4
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1.25A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):36 V
- 上昇/下降時間（標準）:26ns, 18ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6614AIRZ fornecido por Renesas
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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