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Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ
BGA-200 DDR SDRAM
N.º de pieza del fabricante :K4F6E3S4HM-MGCJ
Fabricante :Samsung
Dasenic Número de pieza :K4F6E3S4HM-MGCJ-DS
Ficha de datos :
K4F6E3S4HM-MGCJ Ficha de datos
K4F6E3S4HM-MGCJ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : BGA-200 DDR SDRAM
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 5+ | $ 10.8834 | $ 54.42 |
| 11+ | $ 8.9301 | $ 98.23 |
| 16+ | $ 8.6510 | $ 138.42 |
| 22+ | $ 8.3719 | $ 184.18 |
| 28+ | $ 8.0929 | $ 226.6 |
En stock: 14700
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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K4F6E3S4HM-MGCJ información
Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- パッケージ/ケース:200-TFBGA
- 動作温度:-25°C ~ 85°C
- 電圧供給:1.1V
- メモリサイズ:16Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- クロック周波数:1866 MHz
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の整理:512M x 32
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
K4F6E3S4HM-MGCJ fornecido por Samsung
Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップ ソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッド ステート ドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) と NAND フラッシュ メモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイル デバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーション プロセッサやイメージ センサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。
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