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Samsung K4F8E304HB-MGCJ
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
- N.º de pieza del fabricante :K4F8E304HB-MGCJ
- Fabricante :Samsung
- Dasenic Número de pieza :K4F8E304HB-MGCJ-DS
- Ficha de datos :
K4F8E304HB-MGCJ Ficha de datos - Descripción : LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 2.5187Total : $ 2.52
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- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 18 + | $ 2.5187 | $ 45.34 |
| 39 + | $ 2.3563 | $ 91.90 |
| 60 + | $ 2.2750 | $ 136.50 |
| 86 + | $ 2.1126 | $ 181.68 |
| 111 + | $ 2.0313 | $ 225.47 |
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Samsung K4F8E304HB-MGCJ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-25°C ~ 85°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:200-TFBGA
メモリサイズ:8Gbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:1.1V
クロック周波数:1866 MHz
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
記憶の組織化:256M x 32
パッケージ:Tray
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Samsung K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップ ソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッド ステート ドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) と NAND フラッシュ メモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイル デバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーション プロセッサやイメージ センサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。
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