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Texas Instruments LM5113SDE/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
N.º de pieza del fabricante :LM5113SDE/NOPB
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :LM5113SDE/NOPB-DS
Ficha de datos :
LM5113SDE/NOPB Ficha de datos
LM5113SDE/NOPB Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 4.9230 | $ 4.92 |
| 10+ | $ 3.4830 | $ 34.83 |
| 100+ | $ 3.1590 | $ 315.9 |
| 250+ | $ 2.5470 | $ 636.75 |
| 2500+ | $ 2.5380 | $ 6345 |
En stock: 1694
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.923
Total :$ 4.92
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LM5113SDE/NOPB información
Texas Instruments LM5113SDE/NOPB especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:10-WDFN Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:10-WSON (4x4)
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 5.5V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:1.76V, 1.89V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1.2A, 5A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):107 V
- 上昇/下降時間（標準）:7ns, 1.5ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
LM5113SDE/NOPB fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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