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Transphorm TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- N.º de pieza del fabricante :TP65H050WS
- Fabricante :Transphorm
- Dasenic Número de pieza :TP65H050WS-DS
- Ficha de datos :
TP65H050WS Ficha de datos - Descripción : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 13.509Total : $ 13.51
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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Transphorm TP65H050WS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-247-3
Tecnología:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-3
Disipación de potencia (máxima):119W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:34A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.8V @ 700µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:24 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1000 pF @ 400 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):12V
Vgs (máximo):±20V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H050WS
Fundada en 2007, Transphorm es una empresa global de semiconductores que lidera la revolución del GaN con dispositivos de GaN de máximo rendimiento y máxima fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Para garantizarlo, Transphorm implementa su exclusivo enfoque empresarial integrado verticalmente que aprovecha al equipo de ingeniería de GaN más experimentado de la industria en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, soporte de dispositivos y aplicaciones. Este enfoque, respaldado por una de las carteras de propiedad intelectual más grandes de la industria con más de 1000 patentes, ha dado como resultado los únicos FET de GaN con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. Las innovaciones de Transphorm están llevando la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr una eficiencia superior al 99 %, un 40 % más de densidad de potencia y un 20 % menos de costo del sistema, y así es como lo hacemos.
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