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Transphorm TPD3215M

Name: TPD3215M
Brand: Transphorm
SKU: DS-6114145
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

N.º de pieza del fabricante :TPD3215M

Fabricante :Transphorm

Dasenic Número de pieza :TPD3215M-DS

Ficha de datos :

TPD3215M Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

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TPD3215M información

Transphorm TPD3215M especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:470W
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:70A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28nC @ 8V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2260pF @ 100V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
TPD3215M,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

TPD3215M fornecido por Transphorm

2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリングチームを活用する独自の垂直統合型ビジネスアプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワーエレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステムコスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。