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Transphorm TPH3206PS
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
- N.º de pieza del fabricante :TPH3206PS
- Fabricante :Transphorm
- Dasenic Número de pieza :TPH3206PS-DS
- Ficha de datos :
TPH3206PS Ficha de datos - Descripción : GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 9.513Total : $ 9.51
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 9.5130 | $ 9.51 |
| 50 + | $ 5.3093 | $ 265.47 |
| 100 + | $ 9.5130 | $ 951.30 |
| 500 + | $ 4.4550 | $ 2227.50 |
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Transphorm TPH3206PS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Not For New Designs
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-220-3
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220AB
Disipación de potencia (máxima):96W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):600 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:17A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.6V @ 500µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:9.3 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:760 pF @ 480 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±18V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TPH3206PS
Fundada en 2007, Transphorm es una empresa global de semiconductores que lidera la revolución del GaN con dispositivos de GaN de máximo rendimiento y máxima fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Para garantizarlo, Transphorm implementa su exclusivo enfoque empresarial integrado verticalmente que aprovecha al equipo de ingeniería de GaN más experimentado de la industria en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, soporte de dispositivos y aplicaciones. Este enfoque, respaldado por una de las carteras de propiedad intelectual más grandes de la industria con más de 1000 patentes, ha dado como resultado los únicos FET de GaN con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. Las innovaciones de Transphorm están llevando la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr una eficiencia superior al 99 %, un 40 % más de densidad de potencia y un 20 % menos de costo del sistema, y así es como lo hacemos.
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