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Transphorm TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
N.º de pieza del fabricante :TP65H035WS
Fabricante :Transphorm
Dasenic Número de pieza :TP65H035WS-DS
Ficha de datos :
TP65H035WS Ficha de datos
TP65H035WS Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 17.6130 | $ 17.61 |
| 30+ | $ 11.6856 | $ 350.57 |
| 120+ | $ 17.6130 | $ 2113.56 |
En stock: 1794
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 17.613
Total :$ 17.61
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TP65H035WS información
Transphorm TP65H035WS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力（最大）:156W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:46.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:41mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:36 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1500 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:12V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H035WS fornecido por Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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