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Transphorm TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
N.º de pieza del fabricante :TP65H480G4JSG-TR
Fabricante :Transphorm
Dasenic Número de pieza :TP65H480G4JSG-TR-DS
Ficha de datos :
TP65H480G4JSG-TR Ficha de datos
TP65H480G4JSG-TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.0600 | $ 3.06 |
| 10+ | $ 2.1150 | $ 21.15 |
| 100+ | $ 1.5390 | $ 153.9 |
| 500+ | $ 1.2960 | $ 648 |
| 1000+ | $ 1.2510 | $ 1251 |
En stock: 9444
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 3.06
Total :$ 3.06
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TP65H480G4JSG-TR información
Transphorm TP65H480G4JSG-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Lead
- テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (5x6)
- 消費電力（最大）:13.2W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.6A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.8V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 8 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:8V
- Vgs (最大):±18V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H480G4JSG-TR fornecido por Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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