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  • Goford Semiconductor GC20N65T

    N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :GC20N65T
  • Fabricante :Goford Semiconductor
  • Dasenic Número de pieza :GC20N65T-DS
  • Ficha de datos :pdf download GC20N65T Ficha de datos
  • Descripción : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 1.1628Total : $ 1.16
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 12000
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
100 +$ 1.1628$ 116.28
15000 +$ 1.0737$ 16105.50
30000 +$ 0.9657$ 28971.00

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Goford Semiconductor GC20N65T especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-220-3
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220
Disipación de potencia (máxima):151W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.5V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:39 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1724 pF @ 100 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±30V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GC20N65T
Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.
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