1 / 1

1 : $14.4090

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Transphorm TP65H035WS

Name: TP65H035WS
Brand: Transphorm
SKU: TP65H035WS-DS
Price: 14.4090 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 1794

MOQ: 1

3 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :TP65H035WS
Fabricante :Transphorm
Dasenic # :TP65H035WS-DS
Ficha de datos : TP65H035WS Ficha de datos PDF
Descripción : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Paquete :-
PRECIO UNITARIO: $14.4090
Total: $14.41

Cantidad	PRECIO UNITARIO	Guardar
1-1	$14.4090	-
2-30	$12.2034	15.3% Guardar
31-120	$14.4090	-

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

Transphorm TP65H035WS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje:Through Hole

Paquete / Caja:TO-247-3

Tecnología:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-3

Disipación de potencia (máxima):156W (Tc)

Tipo F E T:N-Channel

Función F E T:-

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:46.5A (Tc)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:41mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.8V @ 1mA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:36 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1500 pF @ 400 V

Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):12V

Vgs (máximo):±20V

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.29.0095

Estado de ALCANCE:REACH is not affected

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TP65H035WS proporcionado por Transphorm

Fundada en 2007, Transphorm es una empresa global de semiconductores que lidera la revolución del GaN con dispositivos de GaN de máximo rendimiento y máxima fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Para garantizarlo, Transphorm implementa su exclusivo enfoque empresarial integrado verticalmente que aprovecha al equipo de ingeniería de GaN más experimentado de la industria en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, soporte de dispositivos y aplicaciones. Este enfoque, respaldado por una de las carteras de propiedad intelectual más grandes de la industria con más de 1000 patentes, ha dado como resultado los únicos FET de GaN con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. Las innovaciones de Transphorm están llevando la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr una eficiencia superior al 99 %, un 40 % más de densidad de potencia y un 20 % menos de costo del sistema, y así es como lo hacemos.