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Transphorm TP65H050WSQA

Name: TP65H050WSQA
Brand: Transphorm
SKU: TP65H050WSQA-DS
Price: 39.7000 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 2084

MOQ: 1

3 Preisstufen

Hersteller Modell :TP65H050WSQA
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TP65H050WSQA-DS
Dokument : TP65H050WSQA Dokument PDF
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Verpackung :-
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Transphorm TP65H050WSQA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

製品ステータス:Active

動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)

取り付けタイプ:Through Hole

パッケージ/ケース:TO-247-3

テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3

消費電力（最大）:150W (Tc)

F E Tタイプ:N-Channel

F E T機能:-

ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V

電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:36A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA

ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V

入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 400 V

駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V

Vgs (最大):±20V

EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant

モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.29.0095

REACH規則:REACH is not affected

中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TP65H050WSQA bereitgestellt von Transphorm

2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリングチームを活用する独自の垂直統合型ビジネスアプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワーエレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステムコスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。