Las imágenes son sólo para referencia.

Share

1 : $5.2470

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Transphorm TP65H150G4LSG-TR

    650 V 13 A GAN FET
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :TP65H150G4LSG-TR
  • Fabricante :Transphorm
  • Dasenic Número de pieza :TP65H150G4LSG-TR-DS
  • Ficha de datos :pdf download TP65H150G4LSG-TR Ficha de datos
  • Descripción : 650 V 13 A GAN FET
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 5.247Total : $ 5.25
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 8346
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 5.2470$ 5.25
10 +$ 3.5100$ 35.10
100 +$ 5.2470$ 524.70
500 +$ 2.1048$ 1052.40
1000 +$ 2.0250$ 2025.00

Solicitar presupuesto

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

Transphorm TP65H150G4LSG-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:2-PowerTSFN
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:2-PQFN (8x8)
消費電力(最大):52W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:598 pF @ 400 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H150G4LSG-TR
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
Transphorm Recomendaciones de productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

Calificaciones y reseñas

Calificaciones

Por favor, Califica el producto!

Envía tus comentarios después de iniciar sesión en tu cuenta.

  • RFQ