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  • Transphorm TP65H150G4PS

    GAN FET N-CH 650V TO-220
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :TP65H150G4PS
  • Fabricante :Transphorm
  • Dasenic Número de pieza :TP65H150G4PS-DS
  • Ficha de datos :pdf download TP65H150G4PS Ficha de datos
  • Descripción : GAN FET N-CH 650V TO-220
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 6.192Total : $ 6.19
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 8238
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 6.1920$ 6.19
50 +$ 3.5730$ 178.65
100 +$ 3.3120$ 331.20
500 +$ 3.0870$ 1543.50

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Transphorm TP65H150G4PS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:-
パッケージ/ケース:-
テクノロジー:-
サプライヤーデバイスパッケージ:-
消費電力(最大):-
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H150G4PS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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