1 / 1

1 : $23.4800

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Transphorm TPH3208LDG

Name: TPH3208LDG
Brand: Transphorm
SKU: TPH3208LDG-DS
Price: 23.4800 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 1509

MOQ: 1

1 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :TPH3208LDG
Fabricante :Transphorm
Dasenic # :TPH3208LDG-DS
Ficha de datos : TPH3208LDG Ficha de datos PDF
Descripción : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Paquete :-
PRECIO UNITARIO: $23.4800
Total: $23.48

Cantidad	PRECIO UNITARIO	Guardar
1-1	$23.4800	-

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

Transphorm TPH3208LDG especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Estado del producto:Obsolete

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje:Surface Mount

Paquete / Caja:3-PowerDFN

Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)

Paquete de dispositivo del proveedor:3-PQFN (8x8)

Disipación de potencia (máxima):96W (Tc)

Tipo F E T:N-Channel

Función F E T:-

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A (Tc)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:130mOhm @ 13A, 8V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.6V @ 300µA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:14 nC @ 8 V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:760 pF @ 400 V

Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V

Vgs (máximo):±18V

Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.29.0095

Estado de ALCANCE:Vendor is not defined

Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

TPH3208LDG proporcionado por Transphorm

Fundada en 2007, Transphorm es una empresa global de semiconductores que lidera la revolución del GaN con dispositivos de GaN de máximo rendimiento y máxima fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Para garantizarlo, Transphorm implementa su exclusivo enfoque empresarial integrado verticalmente que aprovecha al equipo de ingeniería de GaN más experimentado de la industria en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, soporte de dispositivos y aplicaciones. Este enfoque, respaldado por una de las carteras de propiedad intelectual más grandes de la industria con más de 1000 patentes, ha dado como resultado los únicos FET de GaN con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. Las innovaciones de Transphorm están llevando la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr una eficiencia superior al 99 %, un 40 % más de densidad de potencia y un 20 % menos de costo del sistema, y así es como lo hacemos.