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Transphorm TP65H150G4LSG-TR

650 V 13 A GAN FET
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :TP65H150G4LSG-TR
Fabricante :Transphorm
Dasenic Número de pieza :TP65H150G4LSG-TR-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 650 V 13 A GAN FET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 5.2470$ 5.25
10+$ 3.5100$ 35.1
100+$ 5.2470$ 524.7
500+$ 2.1048$ 1052.4
1000+$ 2.0250$ 2025
En stock: 7016
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.247
Total :$ 5.25
Entrega :
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Pago :
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TP65H150G4LSG-TR información

  • Transphorm TP65H150G4LSG-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Estado del producto:Active
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Paquete / Caja:2-PowerTSFN
  • Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paquete de dispositivo del proveedor:2-PQFN (8x8)
  • Disipación de potencia (máxima):52W (Tc)
  • Tipo F E T:N-Channel
  • Función F E T:-
  • Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
  • Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:13A (Tc)
  • Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:180mOhm @ 8.5A, 10V
  • Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.8V @ 500µA
  • Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:8 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:598 pF @ 400 V
  • Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
  • Vgs (máximo):±20V
  • Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
  • Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.29.0095
  • Estado de ALCANCE:REACH is not affected
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H150G4LSG-TR fornecido por Transphorm
Fundada en 2007, Transphorm es una empresa global de semiconductores que lidera la revolución del GaN con dispositivos de GaN de máximo rendimiento y máxima fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Para garantizarlo, Transphorm implementa su exclusivo enfoque empresarial integrado verticalmente que aprovecha al equipo de ingeniería de GaN más experimentado de la industria en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, soporte de dispositivos y aplicaciones. Este enfoque, respaldado por una de las carteras de propiedad intelectual más grandes de la industria con más de 1000 patentes, ha dado como resultado los únicos FET de GaN con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. Las innovaciones de Transphorm están llevando la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr una eficiencia superior al 99 %, un 40 % más de densidad de potencia y un 20 % menos de costo del sistema, y así es como lo hacemos.
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